深圳MOS管回收价格

更新时间: 2025-03-11

深圳MOS管回收价格，金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管。金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MO**ET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMO**ET）与P型金氧半场效晶体管（PMO**ET）。

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理论上金氧半场效晶体管的栅极应该尽可能选择电性良好的导体，多晶硅在经过重掺杂之后的导电性可以用在金氧半场效晶体管的栅极上，但是并非完美的选择。金氧半场效晶体管使用多晶硅作为的理由如下：

金氧半场效晶体管的临界电压（threshold voltage）主要由栅极与沟道材料的功函数之间的差异来决定，而因为多晶硅本质上是半导体，所以可以借由掺杂不同极性的杂质来改变其功函数。更重要的是，因为多晶硅和底下作为沟道的硅之间能隙相同，因此在降低PMOS或是NMOS的临界电压时可以借由直接调整多晶硅的功函数来达成需求。反过来说，金属材料的功函数并不像半导体那么易于改变，如此一来要降低金氧半场效晶体管的临界电压就变得比较困难。而且如果想要同时降低PMOS和NMOS的临界电压，将需要两种不同的金属分别做其栅极材料，对于工艺又是一个很大的变量。

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